半導(dǎo)體在各行業(yè)上的應(yīng)用

半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用案例

1. 功率半導(dǎo)體

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）

電壓規(guī)格：600V/1000~3000V

MOSFET（Metal-Oxide Silicon Field-Effect Transmitter）

電壓規(guī)格：12~300V

高功率大功率開關(guān)電源PAT-T系列1000V、1500V機(jī)型可對應(yīng)功率半導(dǎo)體的高電壓大電流化。隨著太陽光面板的高電壓化以及電動汽車的普及，充電器馬達(dá)以及各種逆變器所使用的半導(dǎo)體也漸漸向高電壓、大電流化發(fā)展。

使用目的

· 產(chǎn)業(yè)機(jī)器

· 空調(diào)逆變器

· 光伏發(fā)電逆變器

· 電動汽車（EV）逆變器 etc...

測試內(nèi)容

· 信賴性評估

· 產(chǎn)品檢查、良否判定

· C-V測試

· I-V測試

· 高壓破壞、放電測試

· 半導(dǎo)體接點溫度特性評估

· Electromigration

IGBT的Tf（fall time）測試案例

Vce=600V、Ic=30A

Tf為Ic=27A（90%）~3A（10%）的時間

采用直流電源PWX與高速雙極電源PBZ進(jìn)行測試。

Power MOSFET測試案例

Power MOSFET的使用電流至幾百A，自身的發(fā)熱是十分重要的參數(shù)。施加100us的脈沖對發(fā)熱的影響進(jìn)行測試。測試系統(tǒng)上采用直流電源PWX與高速雙極電源PBZ。

PID測試

薄型寬量程可變開關(guān)型電源PWX系列可進(jìn)行高速通信（LAN），從而可以實現(xiàn)功率半導(dǎo)體評估測試中的PID測試。

重點：對半導(dǎo)體進(jìn)行老化測試。測定車載半導(dǎo)體的溫度，并用時序創(chuàng)作軟件重現(xiàn)其溫度特性進(jìn)行老化測試。通過控制半導(dǎo)體的電流來實現(xiàn)實車半導(dǎo)體的溫度變化，要求直流電源可以進(jìn)行外部的高速控制。由此菊水的直流電源PWX系列可滿足此要求。

半導(dǎo)體接點溫度特性評估

重點：由于溫度上升速度快，需要高速的外部控制（如LAN接口）。

過渡熱測試

重點：半導(dǎo)體的過渡熱測試是通過大電流高速上升測試半導(dǎo)體內(nèi)部的溫度變化。使幾百A~千幾百A的電流在幾ms內(nèi)上升。如果使用PAT-T系列單體，在幾ms之內(nèi)可到達(dá)。如果使用與PLZ-5W系列并用，上升速度將更快。

2. IC

GaAsIC：Galium Arsenide Integrated Circuit

MMIC：Monolithic Microwave Integrated Circuit

LSI：Large Scale Integration

使用目的

· 手機(jī)

· 通信機(jī)器半導(dǎo)體元器件

· 無線LAN

· PC

· GPS etc

測試內(nèi)容

· 電流脈沖

· 電源過電壓法

· 電壓脈沖

· ESD脈沖（Electro-Static Discharge）

電源過電壓法

重點：

· DC電源需要低紋波、線性電源較多被采用

· 電子負(fù)載裝置需要滿足高速響應(yīng)

電壓脈沖法

重點：PBZ由于低紋波并且可以輸出高速、高頻率波形，因此被廣泛采用。

薄型寬量程可變開關(guān)型電源

PWX系列

· 采用高度為1U的薄型、輕量設(shè)計，提高了機(jī)柜裝配效率

· 輸出范圍大，能夠組合電壓/電流設(shè)定的功率型產(chǎn)品（3倍）

· 配備功率因數(shù)改善電路：0.99（100V輸入時）、0.97（200V輸入時）

*TYP值

· 標(biāo)準(zhǔn)配備LAN、USB、RS232C通訊接口

· 單控并聯(lián)運行功能（相同機(jī)型Max4臺）

· 簡單串聯(lián)運行（相同機(jī)型2臺）

*PWX750HF、PWX1500H除外

本文來源于KIKUSUI菊水

產(chǎn)品詳情FPWX系列機(jī)架安裝直流電源

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